SQ4532AEY-T1_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

7.3 A, 5.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

21 mOhms, 56 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V, 2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

5.9 nC, 7.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

3.3 W, 3.3 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SQ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

22 S, 5.5 S

立ち下がり時間：

19 ns, 16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17 ns, 17 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 ns, 19 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 6 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

SQ4532A, SQ45, SQ4