MRF6V13250HR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

120 V

利得：

20 dB

出力電力：

230 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1.3 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

Pd-消費電力：

476 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.7 V

単位重量：

0.226635 oz

Tags

MRF6V13, MRF6V1, MRF6V, MRF6, MRF