RP1E100XNTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220FP-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

9.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

11 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

45 ns

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

パーツ番号エイリアス：

RP1E100XN

Tags

RP1E100, RP1E10, RP1E1, RP1E, RP1