CJD350 TR13

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DPAK-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

300 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

300 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.6 V

最大DCコレクタ電流：

750 mA

ゲイン帯域幅積fT：

10 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

CJD350

DC電流ゲインhFEMax：

240 at 50 mA, 10 V

包装：

リール

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

500 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 50 mA, 10 V

Pd-消費電力：

15 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

CJD350T, CJD350, CJD35, CJD3, CJD