CSD87355Q5DT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LSON-CLIP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

45 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.9 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

13.7 nC, 31.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

12 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

6 mm

シリーズ：

CSD87355Q5D

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

90 S , 151 S

立ち下がり時間：

3 ns, 6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns, 14 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns, 27 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns, 10 ns

Tags

CSD87355, CSD8735, CSD873, CSD87, CSD8, CSD