A2T18S166W12SR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

1.6 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 5 V, 65 V

利得：

18.1 dB

出力電力：

38 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

フランジマウント

パッケージ/ケース：

NI-780S-2L2L

包装：

リール

動作周波数：

1805 MHz to 1995 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

1 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

パーツ番号エイリアス：

935363021128

Tags

A2T18S1, A2T18S, A2T18, A2T1, A2T