IPB180N06S4H1ATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-7

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

180 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

270 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

250 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.4 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

XPB180N06

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

パーツ番号エイリアス：

IPB180N06S4-H1 IPB180N06S4H1XT SP000415562

Tags

IPB180N06, IPB180N0, IPB180N, IPB18, IPB1, IPB