MRF24G300HS-2450

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

テクノロジー：

GaN SiC

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

利得：

15.5 dB

出力電力：

332 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

フランジマウント

パッケージ/ケース：

NI-780S-4L

動作周波数：

2.45 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

2 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 3.8 V

パーツ番号エイリアス：

935384492598

Tags

MRF24, MRF2, MRF