UF3C065030B3

製品属性

属性値

メーカー：

UnitedSiC

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

65 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

27 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

51 nC

最低動作温度：

- 25 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

242 W

包装：

チューブ

シリーズ：

UF3C

ブランド：

UnitedSiC

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

57 ns

典型的なターンオン遅延時間：

32 ns

Tags

UF3C06503, UF3C0, UF3C, UF3