UJ3C065080B3

製品属性

属性値

メーカー：

UnitedSiC

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

25 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

51 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

115 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

シリーズ：

UJ3C

ブランド：

UnitedSiC

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

13 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

59 ns

典型的なターンオン遅延時間：

18 ns

Tags

UJ3C06508, UJ3C0650, UJ3C0, UJ3C, UJ3