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| モデル | メーカー | 説明 | ストック | 価格 |
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| GT50J325(Q) DISTI # 30599504 | Toshiba America Electronic Components | Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(LH) RoHS: Compliant | 415 |
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| GT50J325Q DISTI # GT50J325(Q) | Toshiba America Electronic Components | Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH) - Bulk (Alt: GT50J325(Q)) RoHS: Compliant Min Qty: 100 Container: Bulk | Americas - 0 | |
| GT50J325 DISTI # 24M2387 | Toshiba America Electronic Components | IGBT, 600V, TO-3P(LH),DC Collector Current:50A,Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.45V,Power Dissipation Pd:240W,Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V,No. of Pins:3Pins,Operating Temperature Max:150°C,MSL:- RoHS Compliant: Yes | 1 |
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| GT50J325(Q) DISTI # 757-GT50J325(Q) | Toshiba America Electronic Components | IGBT Transistors 600V/50A DIS+FRD RoHS: Compliant | 0 | |
| GT50J325 DISTI # 1300816 | Toshiba America Electronic Components | IGBT, 600V, TO-3P(LH) RoHS: Compliant | 3 |
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| GT50J325 DISTI # 1300816 | Toshiba America Electronic Components | IGBT, 600V, TO-3P(LH) RoHS: Compliant | 215 |
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| GT50J325(Q) DISTI # C1S751200315189 | Toshiba America Electronic Components | Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(LH) RoHS: Compliant | 415 |
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| 画像 | モデル | 説明 |
|---|---|---|
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Mfr.#: GT5011-TBGI-TR OMO.#: OMO-GT5011-TBGI-TR-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT502-2ZLI OMO.#: OMO-GT502-2ZLI-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT50HF120T1VH OMO.#: OMO-GT50HF120T1VH-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT50HF120T1VH-G OMO.#: OMO-GT50HF120T1VH-G-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT50J323 OMO.#: OMO-GT50J323-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT50J341 OMO.#: OMO-GT50J341-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT50J342Q(0 OMO.#: OMO-GT50J342Q-0-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT50JR21(STA1,E,S) OMO.#: OMO-GT50JR21-STA1-E-S--1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT50N322A OMO.#: OMO-GT50N322A-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: GT50NR21 OMO.#: OMO-GT50NR21-1190 |
ブランドニューオリジナル |