GT50J

GT50J101 vs GT50J102 vs GT50J102(Q)

 
PartNumberGT50J101GT50J102GT50J102(Q)
DescriptionINSTOCKIGBT, 600V, TO-3P(LH)
ManufacturerTOSHIBA--
Product CategoryIC Chips--
メーカー モデル 説明 RFQ
Toshiba
Toshiba
GT50JR22(STA1,E,S) IGBT Transistors IGBT for Soft Switching Apps
GT50J101 INSTOCK
GT50J102 IGBT, 600V, TO-3P(LH)
GT50J102(Q) ブランドニューオリジナル
GT50J102Q ブランドニューオリジナル
GT50J121 ブランドニューオリジナル
GT50J121(Q) ブランドニューオリジナル
GT50J122 ブランドニューオリジナル
GT50J301 ブランドニューオリジナル
GT50J301(Q) ブランドニューオリジナル
GT50J301Q ブランドニューオリジナル
GT50J321 ブランドニューオリジナル
GT50J322 ブランドニューオリジナル
GT50J322(Q) ブランドニューオリジナル
GT50J322,GT30J122, ブランドニューオリジナル
GT50J322,GT30J122A ブランドニューオリジナル
GT50J322B ブランドニューオリジナル
GT50J322H ブランドニューオリジナル
GT50J323 ブランドニューオリジナル
GT50J324 ブランドニューオリジナル
GT50J325 IGBT, 600V, TO-3P(LH), DC Collector Current:50A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.45V, Power Dissipation Pd:240W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V, No. of Pins:3Pins, Operat
GT50J325(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(LH)
GT50J327 ブランドニューオリジナル
GT50J328 ブランドニューオリジナル
GT50J341 ブランドニューオリジナル
GT50J342 ブランドニューオリジナル
GT50J342,Q(O ブランドニューオリジナル
GT50J342Q(0 ブランドニューオリジナル
GT50JR21 IGBT N-CH 600V 50A ENHANCEMENT TO3PN, TU
GT50JR21(STA1,E,S) ブランドニューオリジナル
GT50JR21(STA1ES) IGBTs (Alt: GT50JR21(STA1,E,S))
GT50JR21STA1 IGBT Transistors LOW SATURATION/FAST SWITCHING
GT50JR22 IGBT N-CH 600V 50A ENHANCEMENT TO3PN, EA
GT50JR22(S1WD E S ブランドニューオリジナル
GT50JR22(S1WDES ブランドニューオリジナル
GT50JR22(S1WLD E S ブランドニューオリジナル
GT50JR22(S1WLD,E,STOSHIB ブランドニューオリジナル
GT50JR22(S1WLDES ブランドニューオリジナル
GT50JR22(STA1,E,S) ブランドニューオリジナル
GT50JR22(STA1ES) ブランドニューオリジナル
GT50JR22,50JR22 ブランドニューオリジナル
GT50J121(Q)-ND ブランドニューオリジナル
GT50J341,Q(O) IGBT Chip
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