NE58219-T1-A

製品属性

属性値

メーカー：

CEL

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラ

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

12 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

連続コレクタ電流：

0.06 A

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

包装：

リール

タイプ：

RFバイポーラ小信号

ブランド：

CEL

Pd-消費電力：

100 mW (1/10 W)

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NE5821, NE582, NE58, NE5