STH80N10LF7-2AG

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

28.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

110 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

シリーズ：

STH80N10LF7-2AG

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

21 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

33 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

69.3 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14.7 ns

Tags

STH80N, STH80, STH8, STH