DMN5L06DWK-7-01

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

50 V

Id-連続ドレイン電流：

305 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

0.49 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

5 V

Qg-ゲートチャージ：

0.4 nC

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

DMN5L06

トランジスタタイプ：

2 N-Channel MOSFET

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

200 mS

立ち下がり時間：

8.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.1 ns

Tags

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