IRF7601PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Micro-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

5.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

35 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

700 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

14 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

1.8 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

1.11 mm

長さ：

3 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.1 S

立ち下がり時間：

32 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

47 ns

ファクトリーパックの数量：

80

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.1 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001551458

Tags

IRF7601, IRF760, IRF76, IRF7, IRF