QPD1019

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

17 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

7.5 A

出力電力：

170 W

最高作動温度：

+ 225 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H-37265J-2

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

2620 MHz to 2690 MHz

ブランド：

Wolfspeed / Cree

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 3.8 V

Tags

QPD101, QPD10, QPD1, QPD