NVMTS001N06CLTXG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-88-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

398.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

810 uOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

165 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

244 W

構成：

シングルトリプルソースクワッドドレイン

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

275 S

立ち下がり時間：

23.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

70.7 ns

典型的なターンオン遅延時間：

47.2 ns

Tags

NVMT, NVM