SIHB33N60ET5-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

33 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

99 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

100 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

278 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

E

トランジスタタイプ：

MOSFET

ブランド：

Vishay / Siliconix

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

99 ns

典型的なターンオン遅延時間：

28 ns

単位重量：

0.077603 oz

Tags

SIHB33, SIHB3, SIHB, SIH