DMN63D8LDWQ-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

220 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.8 Ohms, 2.8 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

870 pC, 870 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

300 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

DMN63

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

80 mS, 80 mS

立ち下がり時間：

6.3 ns, 6.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.2 ns, 3.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns, 12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3.3 ns, 3.3 ns

単位重量：

0.000265 oz

Tags

DMN63D8LD, DMN63D8, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN