FQB8N60CTM-WS

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

3.75 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.2 Ohms

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

QFET

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

FQB8N60CTM_WS

Tags

FQB8N60CT, FQB8N60C, FQB8N6, FQB8N, FQB8, FQB