FCB20N60-F085

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

198 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

72 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

341 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

商標名：

SuperFET

包装：

リール

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FCB20N60_F085

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

43 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

60 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

208 ns

典型的なターンオン遅延時間：

44 ns

パーツ番号エイリアス：

FCB20N60_F085

単位重量：

0.046296 oz

Tags

FCB20N, FCB20, FCB2, FCB