STW30N20

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

65 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

20.15 mm

長さ：

15.75 mm

シリーズ：

STW30N20

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

5.15 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

20 S

立ち下がり時間：

8.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15.7 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

38 ns

典型的なターンオン遅延時間：

35 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

STW30N, STW30, STW3, STW