NTMFD5C446NLT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

145 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.65 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

54 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

125 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

138 S

立ち下がり時間：

15.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16.8 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

34.9 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14.8 ns

Tags

NTMFD5C4, NTMFD5, NTMFD, NTMF, NTM