FDZ3N513ZT

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WLCSP-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

1.1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

462 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

700 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

5.5 V

Qg-ゲートチャージ：

1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 125 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

FDZ3N513ZT

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.5 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.001482 oz

Tags

FDZ3, FDZ