RXT2222AT100

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MPT-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

40 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

75 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

300

包装：

弾薬パック

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

600 mA

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

RXT2222A

Tags

RXT2222AT100, RXT2222AT10, RXT2222AT, RXT2222A, RXT22, RXT2, RXT