PD57018S-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerSO-10RF-2

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

Id-連続ドレイン電流：

2.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

760 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 165 C

Pd-消費電力：

31.7 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

シリーズ：

PD57018-E

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1 S

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

400

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

PD57018S, PD5701, PD570, PD57, PD5