A3G35H100-04SR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

8.04 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

125 V

利得：

14 dB

出力電力：

14 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S-4L

包装：

リール

動作周波数：

3400 MHz to 3600 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

2 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 8 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 2.3 V

パーツ番号エイリアス：

935368927128

Tags

A3G