2SD1805G-TL-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.5 V

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SD1805

DC電流ゲインhFEMax：

560

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

15 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

700

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SD1805G, 2SD1805, 2SD180, 2SD18, 2SD1, 2SD