MMRF5014H-500MHZ

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Pチャネル

テクノロジー：

GaN SiC

Id-連続ドレイン電流：

350 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

利得：

18 dB

出力電力：

125 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-360H-2SB

動作周波数：

1 MHz to 2700 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネル数：

1 Channel

Pd-消費電力：

232 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 8 V, 0 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 2.3 V

パーツ番号エイリアス：

935345452598

単位重量：

0.017637 oz

Tags

MMRF5014, MMRF50, MMRF5, MMRF, MMR