PMT200EPEX

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

70 V

Id-連続ドレイン電流：

2.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

167 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

15.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

8.3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

13.5 S

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

42 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

Tags

PMT200EP, PMT200, PMT20, PMT2, PMT