QS8F2TCR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル、PNP

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

2.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

44 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

13 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

QS8F2

トランジスタタイプ：

1 P-Channel, PNP

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

85 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

130 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

Tags

QS8F, QS8