IXTY1R6N100D2-TRL

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

タイプ：

枯渇モード

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

リール

構成：

独身

ブランド：

IXYS

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

41 ns

Id-連続ドレイン電流：

1.6 A

Pd-消費電力：

100 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10 Ohms

立ち上がり時間：

65 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

典型的なターンオフ遅延時間：

34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

27 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1000 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 4.5 V

Tags

IXTY1R6, IXTY1R, IXTY1, IXTY, IXT