2SD1012G-SPA

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

15 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

20 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

30 mV

最大DCコレクタ電流：

0.7 A

ゲイン帯域幅積fT：

250 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 125 C

シリーズ：

2SD1012

DC電流ゲインhFEMax：

960

包装：

バルク

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

0.7 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

160

Pd-消費電力：

250 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

3.880136 oz

Tags

2SD1012G, 2SD1012, 2SD101, 2SD10, 2SD1, 2SD