IXTT12N150

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-268-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

106 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

890 W

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

5.1 mm

長さ：

14 mm

シリーズ：

IXTT12N150

タイプ：

高電圧パワーMOSFET

幅：

16.05 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

立ち下がり時間：

14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

53 ns

典型的なターンオン遅延時間：

26 ns

単位重量：

0.229281 oz

Tags

IXTT12N, IXTT12, IXTT1, IXTT, IXT