SI1029X-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SC-89-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

500 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.4 Ohms, 4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

750 pC, 1700 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

280 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

0.6 mm

長さ：

1.66 mm

シリーズ：

SI1

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

1.2 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

200 mS, 100 mS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 ns, 35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns, 20 ns

パーツ番号エイリアス：

SI1029X-GE3

単位重量：

0.001129 oz

Tags

SI1029X-T, SI1029, SI102, SI10, SI1