A2T18H160-24SR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

600 mA, 1 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 65 V

利得：

17.9 dB

出力電力：

28 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S-4L2L-6

包装：

リール

動作周波数：

1.805 GHz to 1.88 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネル数：

2 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

パーツ番号エイリアス：

935316045128

単位重量：

0.164793 oz

Tags

A2T18H1, A2T18H, A2T18, A2T1, A2T