RW1A020ZPT2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563T-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

75 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

6.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

700 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

RW1A020ZP

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

35 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

65 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

パーツ番号エイリアス：

RW1A020ZP

単位重量：

0.000106 oz

Tags

RW1A020, RW1A02, RW1A0, RW1A, RW1