AFV10700H-1090

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2.6 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 105 V

利得：

19.2 dB

出力電力：

700 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780H-4L

動作周波数：

1030 MHz to 1090 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

2 Channel

Pd-消費電力：

526 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

パーツ番号エイリアス：

935358817598

Tags

AFV10700H, AFV10, AFV1, AFV