SIE882DF-T1-GE3

SIE882DF-T1-GE3
Mfr. #:
SIE882DF-T1-GE3
メーカー:
Vishay
説明:
RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 229A 125W 1.4mohm @ 10V
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SIE882DF-T1-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
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製品属性
属性値
メーカー
製品カテゴリ
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
シリーズ
TrenchFET
包装
リール
パーツエイリアス
SIE882DF-GE3
取り付けスタイル
SMD / SMT
パッケージ-ケース
PolarPAK-10
テクノロジー
Si
チャネル数
1 Channel
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Pd-電力損失
125 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
229 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
25 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2.2 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
1.4 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
Qg-Gate-Charge
46 nC
フォワード-相互コンダクタンス-最小
125 S
Tags
SIE8, SIE
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 25V 47A 10-Pin PolarPAK T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:60A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.7V ;RoHS Compliant: Yes
N-Channel PolarPAK® Power MOSFETs
Vishay Siliconix 20V to 75V PolarPAK® Power MOSFETs combine the thermal benefits of a double-sided cooling package with on-resistance down to as low as 1.4mΩ. The double-sided cooling provided by these Vishay Siliconix PolarPAK® Power MOSFETs gives designers a way to reduce system size and cost through better MOSFET thermal performance. These Vishay Siliconix PolarPAK® MOSFETs share the same footprint area as the standard SO-8 yet are twice as thin with a height profile of just 0.8 mm.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SIE882DF-T1-GE3
DISTI # SIE882DF-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.2028
SIE882DF-T1-GE3
DISTI # SIE882DF-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 10-Pin PolarPAK T/R - Tape and Reel (Alt: SIE882DF-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel
Americas - 0
  • 3000:$1.0900
  • 6000:$1.0900
  • 12000:$1.0900
  • 18000:$1.0900
  • 30000:$1.0900
SIE882DF-T1-GE3
DISTI # 781-SIE882DF-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V Vds 20V Vgs PolarPAK
RoHS: Compliant
0
  • 1:$2.5200
  • 10:$2.1000
  • 100:$1.6200
  • 500:$1.4200
  • 1000:$1.3600
  • 3000:$1.3500
SIE882DF-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V Vds 20V Vgs PolarPAK
RoHS: Compliant
Americas - 3000
  • 3000:$1.1210
  • 6000:$1.0590
  • 12000:$1.0270
  • 24000:$1.0110
画像 モデル 説明
SIE882DF-T1-GE3

Mfr.#: SIE882DF-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIE882DF-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 20V Vgs PolarPAK
SIE882DF-T1-GE3

Mfr.#: SIE882DF-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIE882DF-T1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 229A 125W 1.4mohm @ 10V
可用性
ストック:
Available
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$1.52
$1.52
10
$1.44
$14.41
100
$1.36
$136.49
500
$1.29
$644.50
1000
$1.21
$1 213.20
皮切りに
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