FQI13N50CTU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

13 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

390 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

195 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

7.88 mm

長さ：

10.29 mm

シリーズ：

FQI13N50C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

4.83 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

15 S

立ち下がり時間：

100 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

100 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

130 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

パーツ番号エイリアス：

FQI13N50CTU_NL

単位重量：

0.073511 oz

Tags

FQI13N5, FQI13, FQI1, FQI