NIF9N05CLT3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

52 V

Id-連続ドレイン電流：

2.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

107 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.69 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.57 mm

長さ：

6.5 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.8 S

立ち下がり時間：

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

780 ns, 906 ns, 1540 ns

典型的なターンオン遅延時間：

275 ns, 242 ns, 107 ns

単位重量：

0.008818 oz

Tags

NIF9N05CLT, NIF9N05C, NIF9, NIF