DMN2005LP4K-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

X2-DFN1006-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

300 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

650 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

530 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

-

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

400 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.35 mm

長さ：

1 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

DMN2005

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

0.6 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

40 mS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13.7 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.06 ns

Tags

DMN2005L, DMN2005, DMN200, DMN20, DMN2, DMN