STB18N60M6

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

13 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

280 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.25 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

16.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

110 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

MDmesh

包装：

リール

シリーズ：

STx18

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

28 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

Tags

STB18N60, STB18N6, STB18N, STB18, STB1, STB