RW1C026ZPT2CR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563T-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

2.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

50 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

10 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

700 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

RW1C026ZP

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.2 S

立ち下がり時間：

850 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

290 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

2.55 us

典型的なターンオン遅延時間：

170 ns

パーツ番号エイリアス：

RW1C026ZP

単位重量：

0.000106 oz

Tags

RW1C02, RW1C0, RW1C, RW1