FQH8N100C

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1 kV

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.45 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

225 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

QFET

包装：

チューブ

高さ：

20.82 mm

長さ：

15.87 mm

シリーズ：

FQH8N100C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.82 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

80 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

95 ns

ファクトリーパックの数量：

450

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

122 ns

典型的なターンオン遅延時間：

50 ns

単位重量：

0.225401 oz

Tags

FQH8, FQH