MMIX1F360N15T2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SMPD-24

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

235 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

715 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

680 W

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

5.7 mm

長さ：

25.25 mm

シリーズ：

MMIX1F360N15

タイプ：

TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

幅：

23.25 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

140 S

立ち下がり時間：

265 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

170 ns

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

115 ns

典型的なターンオン遅延時間：

50 ns

Tags

MMIX1F, MMIX1, MMIX, MMI