NIC9N05ATS1

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

死ぬ

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

59 V

Id-連続ドレイン電流：

9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

90 mOhms

Pd-消費電力：

1.74 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

包装：

バルク

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NIC9N, NIC9, NIC