IKB30N65ES5ATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-263-3

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.35 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

62 A

Pd-消費電力：

188 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

リール

連続コレクタ電流IcMax：

62 A

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

ゲートエミッタリーク電流：

100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

IKB30N65ES5 SP001502572

Tags

IKB