NSVS50030SB3T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

CPH-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 185 mV

ゲイン帯域幅積fT：

360 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

DC電流ゲインhFEMax：

560

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NSVS, NSV